lunes, 16 de julio de 2018

Samsung inicia la producción masiva de memoria flash V-NAND de 5ta generación



Samsung ha sido un fabricante líder de memorias por años y hoy la compañía anunció que está comenzando la producción de sus chips de memoria V-NAND de próxima generación. Esta es la quinta iteración de la tecnología y la característica clave aquí es la adopción de la interfaz NAND "Toggle DDR 4.0".



Este último permite velocidades de transferencia un 40% más rápidas entre el almacenamiento y la RAM en comparación con su predecesor alcanzando un máximo de 1.4Gbps. Pero junto con el mejor rendimiento, la nueva memoria también ofrece una mejor eficiencia energética: de 1,8 voltios a 1,2 voltios.

Los chips V-NAND de 5ta generación se construyen de manera similar a los anteriores y en lugar de incorporar 64 capas, vienen con 90 capas de celdas de flash de captura de carga 3D (CTF). Están apilados en una estructura piramidal con agujeros microscópicos en el centro. Estos agujeros sirven como canales y tienen solo unos pocos cientos de nanómetros de ancho que contienen más de 85 mil millones de celdas de CTF, cada una de las cuales almacena hasta tres bits de datos.

Esto ha llevado a una mejora significativa en la velocidad de escritura, alrededor de un 30% más rápido que el predecesor. El tiempo de respuesta para leer señales también se reduce a 50 μs. Los nuevos chips de alto rendimiento de 256 GB probablemente lleguen a una serie de próximos dispositivos de Samsung, incluidos los teléfonos inteligentes de gama alta.

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