miércoles, 20 de diciembre de 2017

Samsung inicia la producción masiva de RAM de 10 nm de segunda generación







Samsung ahora está produciendo en masa la segunda generación de su DDR4 DRAM de 10 nanómetros clase 8Gb (leer gigabit, no gigabyte), que será la base de su futura RAM DDR4.

La nueva generación de RAM de clase 10nm es aproximadamente un 10% más rápida y un 15% más eficiente que la anterior.


El nuevo 8Gb DD4 puede operar a 3.600 megabits por segundo por pin en comparación con los 3.200 Mbps de la generación anterior.

Todo esto significa que Samsung tiene una base mejor sobre la cual pronto comenzará la producción de RAM más rápida para su uso en teléfonos inteligentes, computadoras portátiles, PC, relojes inteligentes y todo tipo de dispositivos inteligentes.

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